Conduction Mechanisms at Interface of AlN/SiN Dielectric Stacks with AlGaN/GaN Heterostructures for Normally-off High Electron Mobility Transistors: Correlating Device Behavior with Nanoscale Interfaces Properties.

Greco, Giuseppe; Fiorenza, Patrick; Iucolano, Ferdinando; Severino, Andrea; Giannazzo, Filippo; Roccaforte, Fabrizio

Greco, Giuseppe; Fiorenza, Patrick; Iucolano, Ferdinando; Severino, Andrea; Giannazzo, Filippo; Roccaforte, Fabrizio.

Afiliação

Greco G; Consiglio Nazionale delle Ricerche-Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM) , Strada VIII, No. 5, Zona Industriale, 95121 Catania, Italy.
Fiorenza P; Consiglio Nazionale delle Ricerche-Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM) , Strada VIII, No. 5, Zona Industriale, 95121 Catania, Italy.
Iucolano F; STMicroelectronics , Stradale Primosole 50, 95121 Catania, Italy.
Severino A; STMicroelectronics , Stradale Primosole 50, 95121 Catania, Italy.
Giannazzo F; Consiglio Nazionale delle Ricerche-Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM) , Strada VIII, No. 5, Zona Industriale, 95121 Catania, Italy.
Roccaforte F; Consiglio Nazionale delle Ricerche-Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM) , Strada VIII, No. 5, Zona Industriale, 95121 Catania, Italy.

ACS Appl Mater Interfaces ; 9(40): 35383-35390, 2017 Oct 11.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-28920438

Palavras-chave

AlGaN/GaN heterointerface; AlN/SiN; C-AFM; dielectric; nanoscale

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: ACS Appl Mater Interfaces Assunto da revista: BIOTECNOLOGIA / ENGENHARIA BIOMEDICA Ano de publicação: 2017 Tipo de documento: Article País de afiliação: Itália

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