First-principles study of Ga-vacancy induced magnetism in ß-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>. | Phys Chem Chem Phys;19(42): 28928-28935, 2017 Nov 01. | MEDLINE

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First-principles study of Ga-vacancy induced magnetism in ß-Ga₂O₃.

Yang, Ya; Zhang, Jihua; Hu, Shunbo; Wu, Yabei; Zhang, Jincang; Ren, Wei; Cao, Shixun.

Afiliação

Yang Y; Department of Physics, and International Center of Quantum and Molecular Structures, Materials Genome Institute, Shanghai University, Shanghai 200444, China. renwei@shu.edu.cn sxcao@shu.edu.cn.

Phys Chem Chem Phys ; 19(42): 28928-28935, 2017 Nov 01.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-29058004

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Phys Chem Chem Phys Assunto da revista: BIOFISICA / QUIMICA Ano de publicação: 2017 Tipo de documento: Article

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