Two-dimensional plumbum-doped tin diselenide monolayer transistor with high on/off ratio.

Liu, Junchi; Zhong, Mianzeng; Liu, Xiao; Sun, Guangzhuang; Chen, Peng; Zhang, Zhengwei; Li, Jia; Ma, Huifang; Zhao, Bei; Wu, Ruixia; Dang, Weiqi; Yang, Xiangdong; Dai, Chen; Tang, Xuwan; Fan, Chao; Chen, Zhuojun; Miao, Lili; Liu, Xingqiang; Liu, Yuan; Li, Bo; Duan, Xidong

Liu, Junchi; Zhong, Mianzeng; Liu, Xiao; Sun, Guangzhuang; Chen, Peng; Zhang, Zhengwei; Li, Jia; Ma, Huifang; Zhao, Bei; Wu, Ruixia; Dang, Weiqi; Yang, Xiangdong; Dai, Chen; Tang, Xuwan; Fan, Chao; Chen, Zhuojun; Miao, Lili; Liu, Xingqiang; Liu, Yuan; Li, Bo; Duan, Xidong.

Afiliação

Liu J; Department of Applied Physics, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, People's Republic of China.

Nanotechnology ; 29(47): 474002, 2018 Nov 23.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-30188325

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