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Structural and Insulating Behaviour of High-Permittivity Binary Oxide Thin Films for Silicon Carbide and Gallium Nitride Electronic Devices.
Lo Nigro, Raffaella; Fiorenza, Patrick; Greco, Giuseppe; Schilirò, Emanuela; Roccaforte, Fabrizio.
Afiliação
  • Lo Nigro R; Consiglio Nazionale delle Ricerche-Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), 95121 Catania, Italy.
  • Fiorenza P; Consiglio Nazionale delle Ricerche-Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), 95121 Catania, Italy.
  • Greco G; Consiglio Nazionale delle Ricerche-Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), 95121 Catania, Italy.
  • Schilirò E; Consiglio Nazionale delle Ricerche-Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), 95121 Catania, Italy.
  • Roccaforte F; Consiglio Nazionale delle Ricerche-Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), 95121 Catania, Italy.
Materials (Basel) ; 15(3)2022 Jan 22.
Article em En | MEDLINE | ID: mdl-35160775
Palavras-chave
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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Materials (Basel) Ano de publicação: 2022 Tipo de documento: Article País de afiliação: Itália
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