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Density control of GaN nanowires at the wafer scale using self-assembled SiNxpatches on sputtered TiN(111).
Auzelle, T; Oliva, M; John, P; Ramsteiner, M; Trampert, A; Geelhaar, L; Brandt, O.
Afiliação
  • Auzelle T; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e. V., Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, Germany.
  • Oliva M; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e. V., Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, Germany.
  • John P; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e. V., Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, Germany.
  • Ramsteiner M; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e. V., Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, Germany.
  • Trampert A; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e. V., Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, Germany.
  • Geelhaar L; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e. V., Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, Germany.
  • Brandt O; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e. V., Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, Germany.
Nanotechnology ; 34(37)2023 Jun 29.
Article em En | MEDLINE | ID: mdl-37311438
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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Nanofios / Gálio Idioma: En Revista: Nanotechnology Ano de publicação: 2023 Tipo de documento: Article País de afiliação: Alemanha
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