Use of atomic-force microscopy and of a parallel irradiation geometry for in-depth characterization of damage produced by swift Kr ions in silicon.
Phys Rev B Condens Matter
; 54(17): 11853-11856, 1996 Nov 01.
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em En
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| ID: mdl-9985013
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Idioma:
En
Revista:
Phys Rev B Condens Matter
Ano de publicação:
1996
Tipo de documento:
Article