Defect annealing in electron-irradiated boron-doped silicon.
Phys Rev B Condens Matter
; 41(2): 1019-1027, 1990 Jan 15.
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em En
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| ID: mdl-9993798
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Idioma:
En
Revista:
Phys Rev B Condens Matter
Ano de publicação:
1990
Tipo de documento:
Article