Detalles de la búsqueda
1.
Monolithic integrated all-GaN-based µLED display by selective area regrowth.
Opt Express
; 31(19): 31300-31307, 2023 Sep 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37710652
2.
980â nm electrically pumped continuous lasing of QW lasers grown on silicon.
Opt Express
; 31(10): 15326-15333, 2023 May 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37157636
3.
High coupling efficiency waveguide grating couplers on lithium niobate.
Opt Lett
; 48(12): 3267-3270, 2023 Jun 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-37319078
4.
Full-color micro-display by heterogeneous integration of InGaN blue/green dual-wavelength and AlGaInP red LEDs.
Opt Express
; 30(13): 23499-23510, 2022 Jun 20.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-36225028
5.
Electrically pumped InP/GaAsP quantum dot lasers grown on (001) Si emitting at 750â nm.
Opt Express
; 30(22): 40750-40755, 2022 Oct 24.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-36299004
6.
Monolithic integration of ultraviolet light emitting diodes and photodetectors on a p-GaN/AlGaN/GaN/Si platform.
Opt Express
; 29(6): 8358-8364, 2021 Mar 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33820283
7.
848 ppi high-brightness active-matrix micro-LED micro-display using GaN-on-Si epi-wafers towards mass production.
Opt Express
; 29(7): 10580-10591, 2021 Mar 29.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33820191
8.
Controlled single-mode emission in quantum dot micro-lasers.
Opt Express
; 29(9): 13193-13203, 2021 Apr 26.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-33985059
9.
GaSb-based laser diodes grown on MOCVD GaAs-on-Si templates.
Opt Express
; 29(7): 11268-11276, 2021 Mar 29.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-33820242
10.
Red-emitting InP quantum dot micro-disk lasers epitaxially grown on (001) silicon.
Opt Lett
; 46(18): 4514-4517, 2021 Sep 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34525035
11.
C and L band room-temperature continuous-wave InP-based microdisk lasers grown on silicon.
Opt Lett
; 46(12): 2836-2839, 2021 Jun 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34129553
12.
1.55â µm electrically pumped continuous wave lasing of quantum dash lasers grown on silicon.
Opt Express
; 28(12): 18172-18179, 2020 Jun 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32680018
13.
Comparison of static and dynamic characteristics of 1550â nm quantum dash and quantum well lasers.
Opt Express
; 28(18): 26823-26835, 2020 Aug 31.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32906949
14.
Multi-heterojunction InAs/GaSb nano-ridges directly grown on (001) Si.
Nanotechnology
; 31(34): 345707, 2020 Aug 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32392551
15.
Electrically pumped 1.5 µm InP-based quantum dot microring lasers directly grown on (001) Si.
Opt Lett
; 44(18): 4566-4569, 2019 Sep 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31517932
16.
Telecom InP/InGaAs nanolaser array directly grown on (001) silicon-on-insulator.
Opt Lett
; 44(4): 767-770, 2019 Feb 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30767982
17.
Interfacially Bound Exciton State in a Hybrid Structure of Monolayer WS2 and InGaN Quantum Dots.
Nano Lett
; 18(9): 5640-5645, 2018 09 12.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-30139259
18.
Room-temperature electrically-pumped 1.5 µm InGaAs/InAlGaAs laser monolithically grown on on-axis (001) Si.
Opt Express
; 26(11): 14514-14523, 2018 May 28.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-29877487
19.
Monolithic integration of III-nitride voltage-controlled light emitters with dual-wavelength photodiodes by selective-area epitaxy.
Opt Lett
; 43(14): 3401-3404, 2018 Jul 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-30004516
20.
InGaAs/InP quantum wires grown on silicon with adjustable emission wavelength at telecom bands.
Nanotechnology
; 29(22): 225601, 2018 Jun 01.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-29517486