Temporal Noise Analysis of Charge-Domain Sampling Readout Circuits for CMOS Image Sensors. | Sensors (Basel);18(3)2018 Feb 27. | MEDLINE

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Temporal Noise Analysis of Charge-Domain Sampling Readout Circuits for CMOS Image Sensors.

Ge, Xiaoliang; Theuwissen, Albert J P.

Afiliación

Ge X; Electronic Instrumentation Laboratory, Delft University of Technology, 2628 CD Delft, The Netherlands. X.Ge-1@tudelft.nl.
Theuwissen AJP; Electronic Instrumentation Laboratory, Delft University of Technology, 2628 CD Delft, The Netherlands. albert@harvestimaging.com.

Sensors (Basel) ; 18(3)2018 Feb 27.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-29495496

Palabras clave

CMOS image sensor; charge-domain sampling; dynamic range; low noise; non-steady-state signal analysis; pixel-level amplification

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Prognostic_studies Idioma: En Revista: Sensors (Basel) Año: 2018 Tipo del documento: Article País de afiliación: Países Bajos

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