Achieving short high-quality gate-all-around structures for horizontal nanowire field-effect transistors.

Gluschke, J G; Seidl, J; Burke, A M; Lyttleton, R W; Carrad, D J; Ullah, A R; Fahlvik, S; Lehmann, S; Linke, H; Micolich, A P

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Achieving short high-quality gate-all-around structures for horizontal nanowire field-effect transistors.

Gluschke, J G; Seidl, J; Burke, A M; Lyttleton, R W; Carrad, D J; Ullah, A R; Fahlvik, S; Lehmann, S; Linke, H; Micolich, A P.

Afiliación

Gluschke JG; School of Physics, University of New South Wales, Sydney NSW 2052, Australia.

Nanotechnology ; 30(6): 064001, 2019 Feb 08.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-30523834

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2019 Tipo del documento: Article País de afiliación: Australia

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