Comparative studies on vertical-channel charge-trap memory thin-film transistors using In-Ga-Zn-O active channels deposited by sputtering and atomic layer depositions.
Nanotechnology
; 31(43): 435702, 2020 Oct 23.
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Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
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MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
Nanotechnology
Año:
2020
Tipo del documento:
Article