Anisotropic interfacial properties of monolayer C<sub>2</sub>N field effect transistors. | Phys Chem Chem Phys;22(48): 28074-28085, 2020 Dec 23. | MEDLINE

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Anisotropic interfacial properties of monolayer C₂N field effect transistors.

Dong, Mi-Mi; Zhang, Guang-Ping; Li, Zong-Liang; Wang, Ming-Lang; Wang, Chuan-Kui; Fu, Xiao-Xiao.

Afiliación

Dong MM; Shandong Key Laboratory of Medical Physics and Image Processing & Shandong Provincial Engineering and Technical Center of Light Manipulations, School of Physics and Electronics, Shandong Normal University, Jinan 250358, China. ckwang@sdnu.edu.cn fuxiaoxiao@sdnu.edu.cn.

Phys Chem Chem Phys ; 22(48): 28074-28085, 2020 Dec 23.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-33289744

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Phys Chem Chem Phys Asunto de la revista: BIOFISICA / QUIMICA Año: 2020 Tipo del documento: Article

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