Epitaxially-grown Ge/Si avalanche photodiodes for 1.3 microm light detection.
Opt Express
; 16(13): 9365-71, 2008 Jun 23.
Article
em En
| MEDLINE
| ID: mdl-18575500
ABSTRACT
We designed and fabricated Ge/Si avalanche photodiodes grown on silicon substrates. The mesa-type photodiodes exhibit a responsivity at 1310 nm of 0.54 A/W, a breakdown voltage thermal coefficient of 0.05%/ degrees C, a 3 dB-bandwidth of 10 GHz. The gain-bandwidth product was measured as 153 GHz. The effective k value extracted from the excess noise factor was 0.1.
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Coleções:
01-internacional
Base de dados:
MEDLINE
Assunto principal:
Fotometria
/
Semicondutores
/
Silício
/
Cristalização
/
Germânio
/
Modelos Teóricos
Tipo de estudo:
Diagnostic_studies
/
Prognostic_studies
Idioma:
En
Revista:
Opt Express
Assunto da revista:
OFTALMOLOGIA
Ano de publicação:
2008
Tipo de documento:
Article
País de afiliação:
Estados Unidos