A theoretical model for Schottky diodes for excluding the sneak current in cross bar array resistive memory. | Nanotechnology;21(38): 385202, 2010 Sep 24. | MEDLINE

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A theoretical model for Schottky diodes for excluding the sneak current in cross bar array resistive memory.

Kim, Gun Hwan; Kim, Kyung Min; Seok, Jun Yeong; Lee, Hyun Ju; Cho, Deok-Yong; Han, Jeong Hwan; Hwang, Cheol Seong.

Afiliação

Kim GH; Department of Materials Science and Engineering, Seoul National University, Seoul, Korea.

Nanotechnology ; 21(38): 385202, 2010 Sep 24.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-20739739

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Ano de publicação: 2010 Tipo de documento: Article

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