Fabrication of an a-IGZO thin film transistor using selective deposition of cobalt by the self-assembly monolayer (SAM) process. | J Nanosci Nanotechnol;11(1): 787-90, 2011 Jan. | MEDLINE

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Fabrication of an a-IGZO thin film transistor using selective deposition of cobalt by the self-assembly monolayer (SAM) process.

Cho, Young-Je; Kim, HyunHo; Park, Kyoung-Yun; Lee, Jaegab; Bobade, Santosh M; Wu, Fu-Chung; Choi, Duck-Kyun.

Afiliação

Cho YJ; Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, Korea.

J Nanosci Nanotechnol ; 11(1): 787-90, 2011 Jan.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-21446546

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Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Ano de publicação: 2011 Tipo de documento: Article

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