Enhanced performance of InGaN/GaN based solar cells with an In(0.05)Ga(0.95)N ultra-thin inserting layer between GaN barrier and In(0.2)Ga(0.8)N well.

Ren, Zhiwei; Chao, Liu; Chen, Xin; Zhao, Bijun; Wang, Xinfu; Tong, Jinhui; Zhang, Jun; Zhuo, Xiangjing; Li, Danwei; Yi, Hanxiang; Li, Shuti

Ren, Zhiwei; Chao, Liu; Chen, Xin; Zhao, Bijun; Wang, Xinfu; Tong, Jinhui; Zhang, Jun; Zhuo, Xiangjing; Li, Danwei; Yi, Hanxiang; Li, Shuti.

Afiliação

Ren Z; Institute of Opto-electronic Materials and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China.

Opt Express ; 21(6): 7118-24, 2013 Mar 25.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-23546093

Assuntos

Fontes de Energia Elétrica; Gálio/química; Índio/química; Lentes; Energia Solar; Desenho de Equipamento; Análise de Falha de Equipamento; Miniaturização

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Fontes de Energia Elétrica / Energia Solar / Gálio / Índio / Lentes Idioma: En Revista: Opt Express Assunto da revista: OFTALMOLOGIA Ano de publicação: 2013 Tipo de documento: Article País de afiliação: China

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