Flexoelectric control of defect formation in ferroelectric epitaxial thin films.

Lee, Daesu; Jeon, Byung Chul; Yoon, Aram; Shin, Yeong Jae; Lee, Myang Hwan; Song, Tae Kwon; Bu, Sang Don; Kim, Miyoung; Chung, Jin-Seok; Yoon, Jong-Gul; Noh, Tae Won

Lee, Daesu; Jeon, Byung Chul; Yoon, Aram; Shin, Yeong Jae; Lee, Myang Hwan; Song, Tae Kwon; Bu, Sang Don; Kim, Miyoung; Chung, Jin-Seok; Yoon, Jong-Gul; Noh, Tae Won.

Afiliação

Lee D; Center for Correlated Electron Systems, Institute for Basic Science (IBS), Seoul, 151-747, Korea; Department of Physics and Astronomy, Seoul National University, Seoul, 151-747, Korea.

Adv Mater ; 26(29): 5005-11, 2014 Aug 06.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-24847984

Assuntos

Eletricidade; Fenômenos Mecânicos; Compostos Férricos/química; Temperatura

Palavras-chave

defect engineering; epitaxial thin film; ferroelectric; flexoelectric; strain gradient

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Eletricidade / Fenômenos Mecânicos Idioma: En Revista: Adv Mater Assunto da revista: BIOFISICA / QUIMICA Ano de publicação: 2014 Tipo de documento: Article

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