Trap density probing on top-gate MoS2 nanosheet field-effect transistors by photo-excited charge collection spectroscopy. | Nanoscale;7(13): 5617-23, 2015 Mar 19. | MEDLINE

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Trap density probing on top-gate MoS2 nanosheet field-effect transistors by photo-excited charge collection spectroscopy.

Choi, Kyunghee; Raza, Syed Raza Ali; Lee, Hee Sung; Jeon, Pyo Jin; Pezeshki, Atiye; Min, Sung-Wook; Kim, Jin Sung; Yoon, Woojin; Ju, Sang-Yong; Lee, Kimoon; Im, Seongil.

Afiliação

Choi K; Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul 120-749, Korea. semicon@yonsei.ac.kr.

Nanoscale ; 7(13): 5617-23, 2015 Mar 19.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-25757452

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanoscale Ano de publicação: 2015 Tipo de documento: Article

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