On the origin of enhanced hole injection for AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with AlN insertion layer in p-electron blocking layer.
Opt Express
; 27(12): A620-A628, 2019 Jun 10.
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Idioma:
En
Revista:
Opt Express
Assunto da revista:
OFTALMOLOGIA
Ano de publicação:
2019
Tipo de documento:
Article