Pressure-induced orientation control of the growth of epitaxial silicon nanowires. | Nano Lett;8(8): 2310-4, 2008 Aug. | MEDLINE

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Pressure-induced orientation control of the growth of epitaxial silicon nanowires.

Lugstein, A; Steinmair, M; Hyun, Y J; Hauer, G; Pongratz, P; Bertagnolli, E.

Afiliação

Lugstein A; Institute for Solid State Electronics, Vienna University of Technology, Vienna, Austria. alois.lugstein@tuwien.ac.at

Nano Lett ; 8(8): 2310-4, 2008 Aug.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-18624392

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nano Lett Ano de publicação: 2008 Tipo de documento: Article País de afiliação: Áustria

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