Impact of strain engineering on nanoscale strained InGaAs MOSFET devices. | J Nanosci Nanotechnol;11(7): 5623-7, 2011 Jul. | MEDLINE

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Impact of strain engineering on nanoscale strained InGaAs MOSFET devices.

Lee, Chang-Chun; Chang, Shu-Tong; Sun, P-H; Huang, C-X.

Afiliação

Lee CC; Department of Electrical Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 402, Taiwan.

J Nanosci Nanotechnol ; 11(7): 5623-7, 2011 Jul.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-22121581

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Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Ano de publicação: 2011 Tipo de documento: Article País de afiliação: Taiwan

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