Disturbance characteristics of half-selected cells in a cross-point resistive switching memory array. | Nanotechnology;27(21): 215204, 2016 May 27. | MEDLINE

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Disturbance characteristics of half-selected cells in a cross-point resistive switching memory array.

Chen, Zhe; Li, Haitong; Chen, Hong-Yu; Chen, Bing; Liu, Rui; Huang, Peng; Zhang, Feifei; Jiang, Zizhen; Ye, Hongfei; Liu, Lifeng; Liu, Xiaoyan; Kang, Jinfeng; Wong, H-S Philip; Yu, Shimeng.

Afiliação

Chen Z; Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, People's Republic of China.

Nanotechnology ; 27(21): 215204, 2016 May 27.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-27094841

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Tipo de estudo: Prognostic_studies Idioma: En Revista: Nanotechnology Ano de publicação: 2016 Tipo de documento: Article

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