p-Type Doping of GaN Nanowires Characterized by Photoelectrochemical Measurements.

Kamimura, Jumpei; Bogdanoff, Peter; Ramsteiner, Manfred; Corfdir, Pierre; Feix, Felix; Geelhaar, Lutz; Riechert, Henning

Kamimura, Jumpei; Bogdanoff, Peter; Ramsteiner, Manfred; Corfdir, Pierre; Feix, Felix; Geelhaar, Lutz; Riechert, Henning.

Afiliação

Kamimura J; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik , Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany.
Bogdanoff P; Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH, Institute for Solar Fuels , Hahn-Meitner-Platz 1, 14109 Berlin, Germany.
Ramsteiner M; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik , Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany.
Corfdir P; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik , Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany.
Feix F; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik , Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany.
Geelhaar L; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik , Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany.
Riechert H; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik , Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany.

Nano Lett ; 17(3): 1529-1537, 2017 03 08.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-28166406

Palavras-chave

GaN; MBE; Mg doping; Raman spectroscopy; nanowires; photoelectrochemical

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nano Lett Ano de publicação: 2017 Tipo de documento: Article País de afiliação: Alemanha

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