Bismuthene on a SiC substrate: A candidate for a high-temperature quantum spin Hall material.

Reis, F; Li, G; Dudy, L; Bauernfeind, M; Glass, S; Hanke, W; Thomale, R; Schäfer, J; Claessen, R

Reis, F; Li, G; Dudy, L; Bauernfeind, M; Glass, S; Hanke, W; Thomale, R; Schäfer, J; Claessen, R.

Afiliação

Reis F; Physikalisches Institut and Röntgen Research Center for Complex Material Systems, Universität Würzburg, D-97074 Würzburg, Germany.
Li G; School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, China.
Dudy L; Institut für Theoretische Physik und Astrophysik, Universität Würzburg, D-97074 Würzburg, Germany.
Bauernfeind M; Physikalisches Institut and Röntgen Research Center for Complex Material Systems, Universität Würzburg, D-97074 Würzburg, Germany.
Glass S; Physikalisches Institut and Röntgen Research Center for Complex Material Systems, Universität Würzburg, D-97074 Würzburg, Germany.
Hanke W; Physikalisches Institut and Röntgen Research Center for Complex Material Systems, Universität Würzburg, D-97074 Würzburg, Germany.
Thomale R; Institut für Theoretische Physik und Astrophysik, Universität Würzburg, D-97074 Würzburg, Germany.
Schäfer J; Institut für Theoretische Physik und Astrophysik, Universität Würzburg, D-97074 Würzburg, Germany.
Claessen R; Physikalisches Institut and Röntgen Research Center for Complex Material Systems, Universität Würzburg, D-97074 Würzburg, Germany. joerg.schaefer@physik.uni-wuerzburg.de.

Science ; 357(6348): 287-290, 2017 07 21.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-28663438

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Science Ano de publicação: 2017 Tipo de documento: Article País de afiliação: Alemanha

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