Analyzing the dependence of oxygen incorporation current density on overpotential and oxygen partial pressure in mixed conducting oxide electrodes.

Guan, Zixuan; Chen, Di; Chueh, William C

Guan, Zixuan; Chen, Di; Chueh, William C.

Afiliação

Guan Z; Department of Applied Physics, Stanford University, Stanford, CA 94305, USA.
Chen D; Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, Stanford, CA 94305, USA. wchueh@stanford.edu.
Chueh WC; Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, Stanford, CA 94305, USA. wchueh@stanford.edu.

Phys Chem Chem Phys ; 19(34): 23414-23424, 2017 Aug 30.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-28828436

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Phys Chem Chem Phys Assunto da revista: BIOFISICA / QUIMICA Ano de publicação: 2017 Tipo de documento: Article País de afiliação: Estados Unidos

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