Towards a 3D GeSbTe phase change memory with integrated selector by non-aqueous electrodeposition. | Faraday Discuss;213(0): 339-355, 2019 02 18. | MEDLINE

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Towards a 3D GeSbTe phase change memory with integrated selector by non-aqueous electrodeposition.

Huang, Ruomeng; Kissling, Gabriela P; Kashtiban, Reza; Noori, Yasir J; Cicvaric, Katarina; Zhang, Wenjian; Hector, Andrew L; Beanland, Richard; Smith, David C; Reid, Gillian; Bartlett, Philip N; de Groot, C H Kees.

Afiliação

Huang R; School of Electronics and Computer Science, University of Southampton, Southampton, SO17 1BJ, UK. r.huang@soton.ac.uk C.H.de-Groot@soton.ac.uk.

Faraday Discuss ; 213(0): 339-355, 2019 02 18.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-30411749

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Faraday Discuss Assunto da revista: QUIMICA Ano de publicação: 2019 Tipo de documento: Article

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