Electronic thermal conductivity in 2D topological insulator in a HgTe quantum well.

Gusev, G M; Kvon, Z D; Levin, A D; Olshanetsky, E B; Raichev, O E; Mikhailov, N N; Dvoretsky, S A

Gusev, G M; Kvon, Z D; Levin, A D; Olshanetsky, E B; Raichev, O E; Mikhailov, N N; Dvoretsky, S A.

Afiliação

Gusev GM; Instituto de Física da Universidade de São Paulo, 135960-170, São Paulo, SP, Brazil. gusev@if.usp.br.
Kvon ZD; Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, 630090, Russia.
Levin AD; Novosibirsk State University, Novosibirsk, 630090, Russia.
Olshanetsky EB; Instituto de Física da Universidade de São Paulo, 135960-170, São Paulo, SP, Brazil.
Raichev OE; Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, 630090, Russia.
Mikhailov NN; Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, Prospekt Nauki 41, 03028, Kyiv, Ukraine.
Dvoretsky SA; Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, 630090, Russia.

Sci Rep ; 9(1): 831, 2019 Jan 29.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-30696853

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Sci Rep Ano de publicação: 2019 Tipo de documento: Article País de afiliação: Brasil

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