Topological line defects in hexagonal SiC monolayer.

Morais, Wallace P; Inacio, Guilherme J; Amorim, Rodrigo G; Paz, Wendel S; Pansini, Fernando N N; de Souza, Fábio A L

Morais, Wallace P; Inacio, Guilherme J; Amorim, Rodrigo G; Paz, Wendel S; Pansini, Fernando N N; de Souza, Fábio A L.

Afiliação

Morais WP; Departamento de Física, Universidade Federal do Espírito Santo, Vitória-ES, 29075-910, Brazil.
Inacio GJ; Departamento de Física, Universidade Federal do Espírito Santo, Vitória-ES, 29075-910, Brazil.
Amorim RG; Departamento de Física, ICEx, Universidade Federal Fluminense - UFF, Volta Redonda/RJ, Brazil.
Paz WS; Departamento de Física, Universidade Federal do Espírito Santo, Vitória-ES, 29075-910, Brazil.
Pansini FNN; Departamento de Física, Universidade Federal do Espírito Santo, Vitória-ES, 29075-910, Brazil.
de Souza FAL; Instituto Federal do Espírito Santo, Ibatiba-ES, 29395-000, Brazil. fabio.souza@ifes.edu.br.

Phys Chem Chem Phys ; 25(48): 33048-33055, 2023 Dec 13.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-38037394

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Phys Chem Chem Phys Assunto da revista: BIOFISICA / QUIMICA Ano de publicação: 2023 Tipo de documento: Article País de afiliação: Brasil

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