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1.
In Situ Studies of the Interaction of Dislocations with Point Defects during Annealing of Ion Implanted Si/SiGe/Si (001) Heterostructures.
Microsc Microanal;
4(3): 294-307, 1998 May.
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| MEDLINE | ID: mdl-9767667
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2.
Observation of order-disorder transitions in strained-semiconductor systems.
Phys Rev Lett;
55(7): 765, 1985 Aug 12.
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| MEDLINE | ID: mdl-10032441
3.
Ourmazd, Bean, and Phillips respond.
Phys Rev Lett;
58(3): 283, 1987 Jan 19.
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| MEDLINE | ID: mdl-10034890
4.
Submicrocrystallites and the orientational proximity effect.
Phys Rev Lett;
55(15): 1599-1601, 1985 Oct 07.
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| MEDLINE | ID: mdl-10031866
5.
Preservation of a 7 x 7 periodicity at a buried amorphous Si/Si(111) interface.
Phys Rev Lett;
56(4): 355-358, 1986 Jan 27.
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| MEDLINE | ID: mdl-10033166
6.
New source of dislocations in GexSi1-x/Si(100) strained epitaxial layers.
Phys Rev Lett;
62(2): 187-190, 1989 Jan 09.
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| MEDLINE | ID: mdl-10039945
7.
7 x 7 reconstruction of Ge(111) surfaces under compressive strain.
Phys Rev Lett;
55(10): 1106-1109, 1985 Sep 02.
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| MEDLINE | ID: mdl-10031729
8.
Real-time x-ray diffraction observation of a pin-slip mechanism in GexSi1-x strained layers.
Phys Rev Lett;
67(18): 2513-2516, 1991 Oct 28.
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| MEDLINE | ID: mdl-10044445
9.
Photoreflectance in Ge/Ge0.7Si0.3 strained-layer superlattices.
Phys Rev B Condens Matter;
46(23): 15263-15269, 1992 Dec 15.
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| MEDLINE | ID: mdl-10003641
10.
Observation of confined electronic states in GexSi1-xSi strained-layer superlattices.
Phys Rev B Condens Matter;
31(2): 1202-1204, 1985 Jan 15.
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| MEDLINE | ID: mdl-9935888
11.
Electroreflectance spectroscopy of Si-GexSi1-x quantum-well structures.
Phys Rev B Condens Matter;
33(10): 6821-6830, 1986 May 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9938007
12.
Chemisorption of H2O on GexSil-x(100)(2 x 1).
Phys Rev B Condens Matter;
33(10): 6841-6845, 1986 May 15.
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| MEDLINE | ID: mdl-9938009
13.
Formation and decomposition of GexSil-x(100)(2 x 1):H and GexSil-x(100)(1 x ):2H.
Phys Rev B Condens Matter;
33(5): 2999-3005, 1986 Mar 01.
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| MEDLINE | ID: mdl-9938677
14.
Activation barriers to strain relaxation in lattice-mismatched epitaxy.
Phys Rev B Condens Matter;
40(3): 1681-1684, 1989 Jul 15.
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| MEDLINE | ID: mdl-9992025
15.
X-ray-standing-wave interface studies of germanium on Si(111).
Phys Rev B Condens Matter;
31(10): 6884-6886, 1985 May 15.
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| MEDLINE | ID: mdl-9935596
16.
Thermal relaxation of metastable strained-layer GexSi1-x/Si epitaxy.
Phys Rev B Condens Matter;
31(6): 4063-4065, 1985 Mar 15.
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| MEDLINE | ID: mdl-9936322
17.
Interfaces, confinement, and resonant Raman scattering in Ge/Si quantum wells.
Phys Rev B Condens Matter;
51(24): 17800-17805, 1995 Jun 15.
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| MEDLINE | ID: mdl-9978813
18.
Temperature dependence of the fundamental direct transitions of bulk Ge and two Ge/SiGe multiple-quantum-well structures.
Phys Rev B Condens Matter;
52(12): 8951-8958, 1995 Sep 15.
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| MEDLINE | ID: mdl-9979883
19.
Piezoreflectance study of short-period strained Si-Ge superlattices grown on (001) Ge.
Phys Rev B Condens Matter;
44(11): 5955-5957, 1991 Sep 15.
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| MEDLINE | ID: mdl-9998453
20.
Linear-chain-model interpretation of resonant Raman scattering in GenSim microstructures.
Phys Rev B Condens Matter;
53(23): 15871-15877, 1996 Jun 15.
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| MEDLINE | ID: mdl-9983425