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1.
General comparison of the surface processes involved in nitridation of Si(100)-2 x 1 by NH3 and in SiNx film deposition: a photoemission study.
Kubler L; Bischoff JL; Bolmont D.
Phys Rev B Condens Matter ; 38(18): 13113-13123, 1988 Dec 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9946286
2.
Comparative photoemission study of the adsorption of NO2, N2O, and NH3 on a-Si surfaces at low temperature.
Bischoff JL; Kubler L; Bolmont D.
Phys Rev B Condens Matter ; 39(6): 3653-3658, 1989 Feb 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9948685
3.
Photoemission study of ammonia dissociation on Si(100) below 700 K.
Hlil EK; Kubler L; Bischoff JL; Bolmont D.
Phys Rev B Condens Matter ; 35(11): 5913-5916, 1987 Apr 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9940816
4.
Surface structure of epitaxial CoSi2 crystals grown on Si(111).
Pirri C; Peruchetti JC; Bolmont D; Gewinner G.
Phys Rev B Condens Matter ; 33(6): 4108-4113, 1986 Mar 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9938832
5.
Effect of annealing on a Ge thin film on a Si(111)7 x 7 surface: A study using ARUPS, XPD, and LEED.
Van S; Steinmetz D; Bolmont D; Koulmann JJ.
Phys Rev B Condens Matter ; 50(7): 4424-4429, 1994 Aug 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9976742
6.
Comparative photoemission study of low-pressure hydrogen, silane, and disilane adsorption on Si(111)7 x 7.
Koulmann JJ; Ringeisen F; Alaoui M; Bolmont D.
Phys Rev B Condens Matter ; 41(6): 3878-3881, 1990 Feb 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9994201
7.
Broken-dimer model in a-Si:H.
Koulmann JJ; Muller D; Ringeisen F; Bolmont D.
Phys Rev B Condens Matter ; 39(12): 8768-8771, 1989 Apr 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9947602
8.
Substrate temperature dependence of the initial growth mode of SiO2 on Si(100)-(2 x 1) exposed to O2: A photoemission study.
Lutz F; Bischoff JL; Kubler L; Bolmont D.
Phys Rev B Condens Matter ; 40(15): 10356-10361, 1989 Nov 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9991581
9.
Photoemission proof for a SiO2 island growth mode initiated on the steps of Si(001) during thermal oxidation by O2.
Lutz F; Kubler L; Bischoff JL; Bolmont D.
Phys Rev B Condens Matter ; 40(17): 11747-11750, 1989 Dec 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9991778
10.
Structure of a two-dimensional epitaxial Er silicide on Si(111) investigated by Auger-electron diffraction.
Wetzel P; Pirri C; Paki P; Bolmont D; Gewinner G.
Phys Rev B Condens Matter ; 47(7): 3677-3683, 1993 Feb 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10006469
11.
Formation of CrSi and CrSi2 upon annealing of Cr overlayers on Si(111).
Wetzel P; Pirri C; Peruchetti JC; Bolmont D; Gewinner G.
Phys Rev B Condens Matter ; 35(11): 5880-5883, 1987 Apr 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9940806
12.
Formation of large local magnetic moments at the Cr/Au(100) interface: Evidence for a diffuse interface.
Hanf MC; Pirri C; Peruchetti JC; Bolmont D; Gewinner G.
Phys Rev B Condens Matter ; 36(8): 4487-4490, 1987 Sep 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9943444
13.
Surface electronic structure of CoSi2(111).
Pirri C; Gewinner G; Peruchetti JC; Bolmont D; Derrien J.
Phys Rev B Condens Matter ; 38(2): 1512-1515, 1988 Jul 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9946415
14.
Energy-band structure of CoSi2 epitaxially grown on Si(111).
Gewinner G; Pirri C; Peruchetti JC; Bolmont D; Derrien J; Thiry P.
Phys Rev B Condens Matter ; 38(3): 1879-1884, 1988 Jul 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9946473
15.
Surface states and reconstruction of epitaxial sqrt 3 x sqrt 3 R30 degrees Er silicide on Si(111).
Wetzel P; Saintenoy S; Pirri C; Bolmont D; Gewinner G.
Phys Rev B Condens Matter ; 50(15): 10886-10892, 1994 Oct 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9975191
16.
Interfacial structure of two-dimensional epitaxial Er silicide on Si(111).
Tuilier MH; Wetzel P; Pirri C; Bolmont D; Gewinner G.
Phys Rev B Condens Matter ; 50(4): 2333-2338, 1994 Jul 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9976451
17.
Probing the Co coordination at the Si/CoSi2(111) interface by photoemission.
Haderbache L; Wetzel P; Pirri C; Peruchetti JC; Bolmont D; Gewinner G.
Phys Rev B Condens Matter ; 39(17): 12704-12707, 1989 Jun 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9948140
18.
Quantized hole states detected by photoemission in ultrathin epitaxial CoSi2 films on Si(111).
Haderbache L; Wetzel P; Pirri C; Peruchetti JC; Bolmont D; Gewinner G.
Phys Rev B Condens Matter ; 39(2): 1422-1425, 1989 Jan 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9948345
19.
Formation of an interfacial alloy and epitaxial bcc Cr layers on Au(100).
Hanf MC; Pirri C; Peruchetti JC; Bolmont D; Gewinner G.
Phys Rev B Condens Matter ; 39(3): 1546-1556, 1989 Jan 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9948366
20.
Persistence of the Au(100)-(1 x 1) M-bar3 surface state at the Cr/Au(100) interface: Epitaxial growth of a gold-chromium alloy.
Hanf MC; Pirri C; Peruchetti JC; Bolmont D; Gewinner G.
Phys Rev B Condens Matter ; 39(5): 3021-3025, 1989 Feb 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9948597
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