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1.
Lateral GeSn p-i-n photodetectors on insulator prepared by the rapid melting growth method.
Opt Lett;
49(5): 1365-1368, 2024 Mar 01.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-38427014
2.
Sn component gradient GeSn photodetector with 3â dB bandwidth over 50â GHz for extending L band telecommunication.
Opt Lett;
48(23): 6148-6151, 2023 Dec 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38039213
3.
Modeling, analysis, and demonstration of a carrier-injection electro-absorption modulator at 2 µm on Ge-on-Si platform.
Opt Express;
30(23): 41943-41953, 2022 Nov 07.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-36366658
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