Detalles de la búsqueda
1.
Binding energy of shallow acceptors in InxGa1-xAs/GaAs strained quantum wells.
Phys Rev B Condens Matter;
38(11): 7877-7880, 1988 Oct 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9945533
2.
Electron minibands and Wannier-Stark quantization in an In0.15Ga0.85As-GaAs strained-layer superlattice.
Phys Rev B Condens Matter;
41(12): 8568-8571, 1990 Apr 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9993193
3.
Evidence from electrical transport and photoluminescence spectroscopy of a band of localized deep donors in high-purity n-type InP grown by chemical-beam epitaxy.
Phys Rev B Condens Matter;
50(23): 16964-16972, 1994 Dec 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9976092
4.
Photoreflectance study of narrow-well strained-layer InxGa1-xAs/GaAs coupled multiple-quantum-well structures.
Phys Rev B Condens Matter;
38(5): 3375-3382, 1988 Aug 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9946680
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