Detalles de la búsqueda
1.
Ring geometric effect on the performance of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes.
Opt Express;
32(2): 1275-1285, 2024 Jan 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38297682
2.
Performance enhancement of AlGaN-based 365 nm ultraviolet light-emitting diodes with a band-engineering last quantum barrier.
Opt Lett;
43(3): 515-518, 2018 Feb 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29400829
3.
Influence of carrier screening and band filling effects on efficiency droop of InGaN light emitting diodes.
Opt Express;
19(15): 14182-7, 2011 Jul 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21934781
4.
High-Quality GaN Epilayers Achieved by Facet-Controlled Epitaxial Lateral Overgrowth on Sputtered AlN/PSS Templates.
ACS Appl Mater Interfaces;
9(49): 43386-43392, 2017 Dec 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29164860
Resultados
1 -
4
de 4
1
Próxima >
>>