Detalles de la búsqueda
1.
Localization of lattice dynamics in low-angle twisted bilayer graphene.
Nature;
590(7846): 405-409, 2021 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33597759
2.
A scalable neuristor built with Mott memristors.
Nat Mater;
12(2): 114-7, 2013 Feb.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23241533
3.
Lognormal switching times for titanium dioxide bipolar memristors: origin and resolution.
Nanotechnology;
22(9): 095702, 2011 Mar 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21258143
4.
Sub-nanosecond switching of a tantalum oxide memristor.
Nanotechnology;
22(48): 485203, 2011 Dec 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22071289
5.
Measuring the switching dynamics and energy efficiency of tantalum oxide memristors.
Nanotechnology;
22(50): 505402, 2011 Dec 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22108243
6.
Observation of two resistance switching modes in TiO2 memristive devices electroformed at low current.
Nanotechnology;
22(25): 254007, 2011 Jun 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21572203
7.
The switching location of a bipolar memristor: chemical, thermal and structural mapping.
Nanotechnology;
22(25): 254015, 2011 Jun 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21572186
8.
Impact of geometry on the performance of memristive nanodevices.
Nanotechnology;
22(25): 254026, 2011 Jun 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21572201
9.
The limits of near field immersion microwave microscopy evaluated by imaging bilayer graphene moiré patterns.
Nat Commun;
12(1): 2980, 2021 05 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34016995
10.
A memristor-based nonvolatile latch circuit.
Nanotechnology;
21(23): 235203, 2010 Jun 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20472941
11.
Memristor-CMOS hybrid integrated circuits for reconfigurable logic.
Nano Lett;
9(10): 3640-5, 2009 Oct.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19722537
12.
Structural and chemical characterization of TiO2 memristive devices by spatially-resolved NEXAFS.
Nanotechnology;
20(48): 485701, 2009 Dec 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19880979
13.
Quantized conductance coincides with state instability and excess noise in tantalum oxide memristors.
Nat Commun;
7: 11142, 2016 Apr 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27041485
14.
Characterization of electroforming-free titanium dioxide memristors.
Beilstein J Nanotechnol;
4: 467-73, 2013.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23946916
15.
Continuous electrical tuning of the chemical composition of TaO(x)-based memristors.
ACS Nano;
6(3): 2312-8, 2012 Mar 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22324891
16.
Anatomy of a nanoscale conduction channel reveals the mechanism of a high-performance memristor.
Adv Mater;
23(47): 5633-40, 2011 Dec 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22065427
17.
Sketched oxide single-electron transistor.
Nat Nanotechnol;
6(6): 343-7, 2011 Apr 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21499252
18.
Scanning tunneling microscopy of template-stripped Au surfaces and highly ordered self-assembled monolayers.
Langmuir;
24(12): 5984-7, 2008 Jun 17.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-18471004
19.
Thermodynamics of coherently-strained GexSi1-x nanocrystals on Si(001): alloy composition and island formation.
Nano Lett;
7(2): 223-6, 2007 Feb.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-17253759
20.
Coexistence of memristance and negative differential resistance in a nanoscale metal-oxide-metal system.
Adv Mater;
23(15): 1730-3, 2011 Apr 19.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-21491505