Detalles de la búsqueda
1.
Resolving microscopic interfaces in Si(1-x)Ge(x) alloy nanowire devices.
Nanotechnology;
20(11): 115708, 2009 Mar 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19420456
2.
Structural and chemical characterization of Mn doped GaN nanowires by X-ray absorption spectroscopy.
J Nanosci Nanotechnol;
9(11): 6772-6, 2009 Nov.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19908598
3.
The determination of modified barrier heights in Ti/GaN nano-Schottky diodes at high temperature.
J Nanosci Nanotechnol;
8(10): 5042-6, 2008 Oct.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19198387
4.
Wafer-scale Thermodynamically Stable GaN Nanorods via Two-Step Self-Limiting Epitaxy for Optoelectronic Applications.
Sci Rep;
7: 40893, 2017 01 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28098259
5.
Interface charge induced p-type characteristics of aligned Si(1-x)Gex nanowires.
Nano Lett;
8(11): 3656-61, 2008 Nov.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-18954130
6.
Room-temperature ferromagnetism in Cu doped GaN nanowires.
Nano Lett;
7(11): 3366-71, 2007 Nov.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-17902723
7.
Visible-color-tunable light-emitting diodes.
Adv Mater;
23(29): 3284-8, 2011 Aug 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21638348
8.
Self-organized growth of Si/Silica/Er2Si2O7 core-shell nanowire heterostructures and their luminescence.
Nano Lett;
5(12): 2432-7, 2005 Dec.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-16351192
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