Molecular dynamics simulation of Ga penetration along grain boundaries in Al: a dislocation climb mechanism. | Phys Rev Lett;99(2): 025501, 2007 Jul 13. | MEDLINE

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Molecular dynamics simulation of Ga penetration along grain boundaries in Al: a dislocation climb mechanism.

Nam, Ho-Seok; Srolovitz, David J.

Afiliación

Nam HS; Department of Mechanical and Aerospace Engineering, Princeton University, Princeton, New Jersey 08544, USA. hnam@princeton.edu

Phys Rev Lett ; 99(2): 025501, 2007 Jul 13.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-17678231

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Bases de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Phys Rev Lett Año: 2007 Tipo del documento: Article País de afiliación: Estados Unidos

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