Effect of annealing treatment on electroluminescence from GaN/Si nanoheterostructure array.

Han, Chang Bao; He, Chuan; Meng, Xiao Bo; Wan, Ya Rui; Tian, Yong Tao; Zhang, Ying Jiu; Li, Xin Jian

Han, Chang Bao; He, Chuan; Meng, Xiao Bo; Wan, Ya Rui; Tian, Yong Tao; Zhang, Ying Jiu; Li, Xin Jian.

Afiliación

Han CB; Department of Physics and Laboratory of Materials Physics, Zhengzhou University, Zhengzhou 450052, China.

Opt Express ; 20(5): 5636-43, 2012 Feb 27.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-22418371

Asunto(s)

Galio/química; Mediciones Luminiscentes/instrumentación; Nanoestructuras/química; Nanotecnología/instrumentación; Silicio/química; Diseño de Equipo; Análisis de Falla de Equipo; Dureza; Calor; Nanoestructuras/ultraestructura

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Texto completo: 1 Bases de datos: MEDLINE Asunto principal: Silicio / Nanotecnología / Nanoestructuras / Galio / Mediciones Luminiscentes Idioma: En Revista: Opt Express Asunto de la revista: OFTALMOLOGIA Año: 2012 Tipo del documento: Article País de afiliación: China

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