Reducing the contact resistance of SiNW devices by employing a heavily doped carrier injection layer. | Nanotechnology;23(30): 305701, 2012 Aug 03. | MEDLINE

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Reducing the contact resistance of SiNW devices by employing a heavily doped carrier injection layer.

Liu, Donghua; Shi, Zhiwen; Zhang, Lianchang; He, Congli; Zhang, Jing; Cheng, Meng; Yang, Rong; Tian, Xuezeng; Bai, Xuedong; Shi, Dongxia; Zhang, Guangyu.

Afiliación

Liu D; Nanoscale Physics and Devices Laboratory, Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, People's Republic of China.

Nanotechnology ; 23(30): 305701, 2012 Aug 03.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-22751205

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Texto completo: 1 Bases de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2012 Tipo del documento: Article

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