Highly stretchable carbon nanotube transistors with ion gel gate dielectrics. | Nano Lett;14(2): 682-6, 2014 Feb 12. | MEDLINE

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Highly stretchable carbon nanotube transistors with ion gel gate dielectrics.

Xu, Feng; Wu, Meng-Yin; Safron, Nathaniel S; Roy, Susmit Singha; Jacobberger, Robert M; Bindl, Dominick J; Seo, Jung-Hun; Chang, Tzu-Hsuan; Ma, Zhenqiang; Arnold, Michael S.

Afiliación

Xu F; Department of Materials Science and Engineering and Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison , Madison, Wisconsin 53706, United States.

Nano Lett ; 14(2): 682-6, 2014 Feb 12.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-24382263

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Texto completo: 1 Bases de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nano Lett Año: 2014 Tipo del documento: Article País de afiliación: Estados Unidos

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