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Defects and strain enhancements of second-harmonic generation in Si/Ge superlattices.
Bertocchi, Matteo; Luppi, Eleonora; Degoli, Elena; Véniard, Valérie; Ossicini, Stefano.
Afiliación
  • Bertocchi M; Dipartimento di Scienze e Metodi dell'Ingegneria, Università di Modena e Reggio Emilia, Via Amendola 2 Padiglione Morselli, I-42122 Reggio Emilia, Italy.
  • Luppi E; Laboratoire de Chimie Théorique, Université Pierre et Marie Curie, 75005 Paris, France.
  • Degoli E; Dipartimento di Scienze e Metodi dell'Ingegneria, Università di Modena e Reggio Emilia, Via Amendola 2 Padiglione Morselli, I-42122 Reggio Emilia, Italy.
  • Véniard V; Laboratoire des Solides Irradiés, Ecole Polytechnique, CNRS, CEA-DSM and European Theoretical Spectroscopy Facility (ETSF), Route de Saclay, 91128 Palaiseau, France.
  • Ossicini S; Istituto di Nanoscienze-CNR-S3, Via Campi 213A, 41125 Modena, Italy.
J Chem Phys ; 140(21): 214705, 2014 Jun 07.
Article en En | MEDLINE | ID: mdl-24908033
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Texto completo: 1 Bases de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: J Chem Phys Año: 2014 Tipo del documento: Article País de afiliación: Italia
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