A non-defect precursor gate oxide breakdown model.

Cheung, Kin P.

Afiliación

Cheung KP; National Institute of Standards & Technology, Gaithersburg, MD U.S.A.

J Appl Phys ; 133(23)2023 Jun.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-37551383

Palabras clave

breakdown; gate oxide; hole transport; lone-pair; percolation model; precursor; small polaron

Texto completo: 1 Bases de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: J Appl Phys Año: 2023 Tipo del documento: Article

Texto completo: 1 Bases de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: J Appl Phys Año: 2023 Tipo del documento: Article