Detalhe da pesquisa
1.
High-Performance Complementary Circuits from Two-Dimensional MoTe2.
Nano Lett
; 23(23): 10939-10945, 2023 Dec 13.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-37976291
2.
Mobility Extraction in 2D Transition Metal Dichalcogenide Devices-Avoiding Contact Resistance Implicated Overestimation.
Small
; 17(28): e2100940, 2021 Jul.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-34110675
3.
Electric-field induced structural transition in vertical MoTe2- and Mo1-xWxTe2-based resistive memories.
Nat Mater
; 18(1): 55-61, 2019 01.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-30542093
4.
Vertical versus Lateral Two-Dimensional Heterostructures: On the Topic of Atomically Abrupt p/n-Junctions.
Nano Lett
; 17(8): 4787-4792, 2017 08 09.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-28718653
5.
Covalent Nitrogen Doping and Compressive Strain in MoS2 by Remote N2 Plasma Exposure.
Nano Lett
; 16(9): 5437-43, 2016 09 14.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-27494551
6.
Tunability of short-channel effects in MoS2 field-effect devices.
Nano Lett
; 15(1): 301-6, 2015 Jan 14.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-25545046
7.
Where does the current flow in two-dimensional layered systems?
Nano Lett
; 13(7): 3396-402, 2013 Jul 10.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-23802773
8.
Utilizing the unique properties of nanowire MOSFETs for RF applications.
Nano Lett
; 13(4): 1549-54, 2013 Apr 10.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-23464859
9.
High performance multilayer MoS2 transistors with scandium contacts.
Nano Lett
; 13(1): 100-5, 2013 Jan 09.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-23240655
10.
Spin transfer torque in a graphene lateral spin valve assisted by an external magnetic field.
Nano Lett
; 13(11): 5177-81, 2013 Nov 13.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-24127734
11.
Experimental demonstration of an on-chip p-bit core based on stochastic magnetic tunnel junctions and 2D MoS2 transistors.
Nat Commun
; 15(1): 4098, 2024 May 15.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-38750065
12.
Tailoring amorphous boron nitride for high-performance two-dimensional electronics.
Nat Commun
; 15(1): 4016, 2024 May 13.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-38740890
13.
Graphene-based frequency tripler.
Nano Lett
; 12(4): 2067-70, 2012 Apr 11.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-22452648
14.
Observation of 1D behavior in Si nanowires: toward high-performance TFETs.
Nano Lett
; 12(11): 5571-5, 2012 Nov 14.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-23030672
15.
Understanding the impact of Schottky barriers on the performance of narrow bandgap nanowire field effect transistors.
Nano Lett
; 12(10): 5331-6, 2012 Oct 10.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-22950905
16.
Synthesis of antimony-based nanowires using the simple vapor deposition method.
Chemphyschem
; 13(10): 2585-8, 2012 Jul 16.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-22438329
17.
FeTRAM. An organic ferroelectric material based novel random access memory cell.
Nano Lett
; 11(9): 4003-7, 2011 Sep 14.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-21859101
18.
Transport modulation in Ge/Si core/shell nanowires through controlled synthesis of doped Si shells.
Nano Lett
; 11(4): 1406-11, 2011 Apr 13.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-21417251
19.
Signatures of disorder in the minimum conductivity of graphene.
Nano Lett
; 11(3): 1319-22, 2011 Mar 09.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-21329334
20.
Statistical Assessment of High-Performance Scaled Double-Gate Transistors from Monolayer WS2.
ACS Nano
; 16(9): 14942-14950, 2022 Sep 27.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-36094410