Detalhe da pesquisa
1.
Growth of black arsenic phosphorus thin films and its application for field-effect transistors.
Nanotechnology
; 32(32)2021 May 17.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-33906169
2.
Self-gating in semiconductor electrocatalysis.
Nat Mater
; 18(10): 1098-1104, 2019 10.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-31332336
3.
Ambipolar transport in van der Waals black arsenic field effect transistors.
Nanotechnology
; 31(40): 405203, 2020 Oct 02.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32544901
4.
Doping the Undopable: Hybrid Molecular Beam Epitaxy Growth, n-Type Doping, and Field-Effect Transistor Using CaSnO3.
ACS Nano
; 17(17): 16912-16922, 2023 Sep 12.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-37638732
5.
Layer Dependence of Dielectric Response and Water-Enhanced Ambient Degradation of Highly Anisotropic Black As.
ACS Nano
; 14(5): 5988-5997, 2020 May 26.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32310631
6.
Engineering grain boundaries at the 2D limit for the hydrogen evolution reaction.
Nat Commun
; 11(1): 57, 2020 Jan 02.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-31896753
7.
MoTe2 Lateral Homojunction Field-Effect Transistors Fabricated using Flux-Controlled Phase Engineering.
ACS Nano
; 13(7): 8035-8046, 2019 Jul 23.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-31247141