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1.
Self-aligned sources for dislocation nucleation: The key to low threading dislocation densities in compositionally graded thin films grown at low temperature.
LeGoues FK.
Phys Rev Lett ; 72(6): 876-879, 1994 Feb 07.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10056557
2.
Competing relaxation mechanisms in strained layers.
Tersoff J; LeGoues FK.
Phys Rev Lett ; 72(22): 3570-3573, 1994 May 30.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10056233
3.
Anomalous strain relaxation in SiGe thin films and superlattices.
LeGoues FK; Meyerson BS; Morar JF.
Phys Rev Lett ; 66(22): 2903-2906, 1991 Jun 03.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10043649
4.
Strain Relief during Growth: CaF2 on Si(111).
Tromp RM; LeGoues FK; Reuter MC.
Phys Rev Lett ; 74(14): 2706-2709, 1995 Apr 03.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10057997
5.
Surface morphology and alloy ordering in epitaxial growth of SiGe.
LeGoues FK; Tersoff J; Tromp RM.
Phys Rev Lett ; 71(22): 3736, 1993 Nov 29.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10055059
6.
Measurement of the activation barrier to nucleation of dislocations in thin films.
LeGoues FK; Mooney PM; Tersoff J.
Phys Rev Lett ; 71(3): 396-399, 1993 Jul 19.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10055260
7.
Long-range order in thick, unstrained Si0.5Ge0.5 epitaxial layers.
LeGoues FK; Kesan VP; Iyer SS.
Phys Rev Lett ; 64(1): 40-43, 1990 Jan 01.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10041268
8.
Novel strain-induced defect in thin molecular-beam epitaxy layers.
LeGoues FK; Copel M; Tromp R.
Phys Rev Lett ; 63(17): 1826-1829, 1989 Oct 23.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10040683
9.
LeGoues, Mooney, and Tersoff reply.
LeGoues FK; Mooney PM; Tersoff J.
Phys Rev Lett ; 72(25): 4056, 1994 Jun 20.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10056370
10.
Structural characterization of the Si(111)-CaF2 interface by high-resolution transmission electron microscopy.
Tromp RM; LeGoues FK; Krakow W; Schowalter LJ.
Phys Rev Lett ; 61(19): 2274, 1988 Nov 07.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10039034
11.
Orientation dependence of grain-boundary critical currents in YBa2Cu3O7- delta bicrystals.
Dimos D; Chaudhari P; Mannhart J; LeGoues FK.
Phys Rev Lett ; 61(2): 219-222, 1988 Jul 11.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10039063
12.
Spectroscopic ellipsometry of E1-like transitions in nanometer-thickness Ge layers.
Freeouf JL; Tsang JC; LeGoues FK; Iyer SS.
Phys Rev Lett ; 64(3): 315-318, 1990 Jan 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10041949
13.
Correlation of Schottky-barrier height and microstructure in the epitaxial Ni silicide on Si(111).
Liehr M; Schmid PE; LeGoues FK; Ho PS.
Phys Rev Lett ; 54(19): 2139-2142, 1985 May 13.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10031239
14.
Defect self-annihilation in surfactant-mediated epitaxial growth.
Horn-von Hoegen M; LeGoues FK; Copel M; Reuter MC; Tromp RM.
Phys Rev Lett ; 67(9): 1130-1133, 1991 Aug 26.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10045083
15.
Observation of buried interfaces with low energy electron microscopy.
Tromp RM; Denier van der Gon AW; LeGoues FK; Reuter MC.
Phys Rev Lett ; 71(20): 3299-3302, 1993 Nov 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10054938
16.
Surface-stress-induced order in SiGe alloy films.
LeGoues FK; Kesan VP; Iyer SS; Tersoff J; Tromp R.
Phys Rev Lett ; 64(17): 2038-2041, 1990 Apr 23.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10041561
17.
Cyclic growth of strain-relaxed islands.
LeGoues FK; Reuter MC; Tersoff J; Hammar M; Tromp RM.
Phys Rev Lett ; 73(2): 300-303, 1994 Jul 11.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10057135
18.
High-temperature SiO2 decomposition at the SiO2/Si interface.
Tromp R; Rubloff GW; Balk P; LeGoues FK; van Loenen EJ.
Phys Rev Lett ; 55(21): 2332-2335, 1985 Nov 18.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10032113
19.
Identification of a mobility-limiting scattering mechanism in modulation-doped Si/SiGe heterostructures.
Ismail K; LeGoues FK; Saenger KL; Arafa M; Chu JO; Mooney PM; Meyerson BS.
Phys Rev Lett ; 73(25): 3447-3450, 1994 Dec 19.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10057383
20.
Hydrogen segregation and trapping in the Al/Si(111) interface.
Liu JC; Marwick AD; LeGoues FK.
Phys Rev B Condens Matter ; 44(4): 1861-1874, 1991 Jul 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9999725
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