Contact behavior of focused ion beam deposited Pt on p-type Si nanowires. | Nanotechnology;21(13): 134008, 2010 Apr 02. | MEDLINE

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Contact behavior of focused ion beam deposited Pt on p-type Si nanowires.

Ho, C Y; Chiu, S H; Ke, J J; Tsai, K T; Dai, Y A; Hsu, J H; Chang, M L; He, J H.

Afiliação

Ho CY; Institute of Photonics and Optoelectronics, Department of Electrical Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan.

Nanotechnology ; 21(13): 134008, 2010 Apr 02.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-20208118

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Ano de publicação: 2010 Tipo de documento: Article País de afiliação: Taiwan

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