Band alignment tailoring of InAs1-xSbx/GaAs quantum dots: control of type I to type II transition. | Nano Lett;10(8): 3052-6, 2010 Aug 11. | MEDLINE

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Band alignment tailoring of InAs1-xSbx/GaAs quantum dots: control of type I to type II transition.

He, J; Reyner, C J; Liang, B L; Nunna, K; Huffaker, D L; Pavarelli, N; Gradkowski, K; Ochalski, T J; Huyet, G; Dorogan, V G; Mazur, Yu I; Salamo, G J.

Afiliação

He J; California NanoSystems Institute, University of California, Los Angeles, California 90095, USA. hejun@ee.ucla.edu

Nano Lett ; 10(8): 3052-6, 2010 Aug 11.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-20698619

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nano Lett Ano de publicação: 2010 Tipo de documento: Article País de afiliação: Estados Unidos

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