Tungsten oxide as a gate dielectric for highly transparent and temperature-stable zinc-oxide-based thin-film transistors. | Adv Mater;23(45): 5383-6, 2011 Dec 01. | MEDLINE

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Tungsten oxide as a gate dielectric for highly transparent and temperature-stable zinc-oxide-based thin-film transistors.

Lorenz, Michael; von Wenckstern, Holger; Grundmann, Marius.

Afiliação

Lorenz M; Institut für Experimentelle Physik II, Halbleiterphysik, Universität Leipzig, Germany. lorenz.ml@physik.uni-leipzig.de

Adv Mater ; 23(45): 5383-6, 2011 Dec 01.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-21997566

Assuntos

Óxidos/química; Temperatura; Transistores Eletrônicos; Tungstênio/química; Óxido de Zinco/química; Impedância Elétrica

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Óxidos / Temperatura / Transistores Eletrônicos / Tungstênio / Óxido de Zinco Idioma: En Revista: Adv Mater Assunto da revista: BIOFISICA / QUIMICA Ano de publicação: 2011 Tipo de documento: Article País de afiliação: Alemanha

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