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Probing single-charge fluctuations at a GaAs/AlAs interface using laser spectroscopy on a nearby InGaAs quantum dot.
Houel, J; Kuhlmann, A V; Greuter, L; Xue, F; Poggio, M; Gerardot, B D; Dalgarno, P A; Badolato, A; Petroff, P M; Ludwig, A; Reuter, D; Wieck, A D; Warburton, R J.
Afiliação
  • Houel J; Department of Physics, University of Basel, Klingelbergstrasse 82, CH-4056 Basel, Switzerland.
Phys Rev Lett ; 108(10): 107401, 2012 Mar 09.
Article em En | MEDLINE | ID: mdl-22463453
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Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Phys Rev Lett Ano de publicação: 2012 Tipo de documento: Article País de afiliação: Suíça
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