Wet chemical etching of semipolar GaN planes to obtain brighter and cost-competitive light emitters. | Adv Mater;25(32): 4470-6, 2013 Aug 27. | MEDLINE

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Wet chemical etching of semipolar GaN planes to obtain brighter and cost-competitive light emitters.

Jung, Sungmin; Song, Ki-Ryong; Lee, Sung-Nam; Kim, Hyunsoo.

Afiliação

Jung S; School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University, Jeonju, Chonbuk, Republic of Korea.

Adv Mater ; 25(32): 4470-6, 2013 Aug 27.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-23775709

Palavras-chave

extraction efficiencies; light emitting diodes; ohmic contacts; semipolar GaN planes; wet etching

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Tipo de estudo: Health_economic_evaluation Idioma: En Revista: Adv Mater Assunto da revista: BIOFISICA / QUIMICA Ano de publicação: 2013 Tipo de documento: Article

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