Electron mobilities approaching bulk limits in "surface-free" GaAs nanowires.

Joyce, Hannah J; Parkinson, Patrick; Jiang, Nian; Docherty, Callum J; Gao, Qiang; Tan, H Hoe; Jagadish, Chennupati; Herz, Laura M; Johnston, Michael B

Joyce, Hannah J; Parkinson, Patrick; Jiang, Nian; Docherty, Callum J; Gao, Qiang; Tan, H Hoe; Jagadish, Chennupati; Herz, Laura M; Johnston, Michael B.

Afiliação

Joyce HJ; Department of Engineering, University of Cambridge , 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge, Cambridgeshire CB3 0FA, United Kingdom.

Nano Lett ; 14(10): 5989-94, 2014 Oct 08.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-25232659

Palavras-chave

GaAs; lifetime; mobility; nanowire; photoconductivity; terahertz

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